Dépôts de carbones durs amorphes ou nanocristallins par procédé CVD au plasma.
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Présentation
Cette technologie permet de déposer sur toute surface, une
couche fine (de quelques nanomètres à quelques micromètres) carbonée ou diamantée.
Le matériel disponible au laboratoire de matériaux permet de traiter des pièces
denviron 50 mm de long et de quelques millimètres de diamètre.
Les intérêts dune telle technologie sont :
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Principe de fonctionnement:
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Le système
de dépôt par plasma CVD comprend une chambre à vide avec son système de pompage, un
dispositif de mélange et d'introduction de gaz, ainsi qu'un générateur HF créant des
décharges auto entretenues entre le gaz et la cathode. Si de plus le gaz qui est introduit est porteur de carbone, un film solide de carbone va se déposer sur la cathode donc sur les pièces. |
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Le film en formation est bombardé en continu et on obtient une couche de carbone amorphe ou nanocristallin dont les propriétés seront fonction d'un certain nombre de facteur tels que: |
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| Type de gaz utilisé | |
| Présence de dopants ou non dans ce gaz | |
| Tension d'autopolarisation du porte-substrat | |
| Température des substrats | |
| Géométrie des substrats | |
| Pression du ou des gaz |
Quelques références:
Relation avec la Pologne : Université de Lodz (Professeur MITURA). Italie (Ispra): Euratom